SemiQ Въведение
- Global Power Technologies Group, Inc. ("GPTG"), основана през 2007 г., е интегрирана компания за разработка и производство, посветена на продукти, базирани на технологии на силициев карбид (SiC). Тези продукти ще бъдат основополагащи за силовата електроника и енергийната индустрия през следващите години, когато са необходими модерни технологии за нискостойностно и високоефективно производство, преобразуване и пренос на електроенергия.
продуктови категории
Имаме голямо предимство на цените и също така можем да намерим остарели части за вас от обширна мрежа от надеждни доставчици.
Продукти, свързани с SemiQ
-
GSID150A120S5C1
- IGBT MODULE 1200V 285A
-
GSXD060A015S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 150V 60A SOT227
-
GP1M003A050FG
- MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220F
-
GP1M009A020FG
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220F
-
GHXS030A120S-D3
- DIODE SCHOTKY 1200V 30A SOT227
-
GP1M008A050HG
- MOSFET N-CH 500V 8A TO220
-
GPA040A120L-FD
- IGBT 1200V 80A 480W TO264
-
GSXD030A008S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 80V 30A SOT227
-
GSXD050A015S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 150V 50A SOT227
-
GP1M006A065PH
- MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK
-
GHIS100A120T2P2
- SI IGBT & SIC SBD HYBRID MODULES
-
GHXS020A060S-D4
- DIODE SBD SHOTT 600V 20A SOT227
-
GPA020A135MN-FD
- IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
-
GP1M011A050FSH
- MOSFET N-CH 500V 10A TO220F
-
GDP06S060D
- DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO263-2
-
GP1M008A050FG
- MOSFET N-CH 500V 8A TO220F
-
GP2D020A120B
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO247-2
-
GPA040A120MN-FD
- IGBT 1200V 80A 480W TO3PN
-
GP2M002A060HG
- MOSFET N-CH 600V 2A TO220
-
GHIS040A060S-A2
- IGBT BUCK CHOP 600V 80A SOT227
-
GSID100A120T2C1A
- SILICON IGBT MODULES
-
GHXS050A060S-D4
- DIODE SCHOTT SBD 600V 50A SOT227
-
GP1M016A060FH
- MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
-
GHIS060A120S-A1
- IGBT BOOST CHP 1200V 120A SOT227
-
GP1M009A020CG
- MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
-
GSXF060A120S1-D3
- DIODE FAST REC 1200V 60A SOT227
-
GP2D005A060A
- DIODE SCHOTTKY 600V 15A TO220-2
-
GCMS040A120S1-E1
- SIC MOSFET/ SBD MODULE SOT-227 C
-
GDP15S120A
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO220-2
-
GP1M018A020HG
- MOSFET N-CH 200V 18A TO220
-
GSXD160A008S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 80V 160A SOT227
-
GHIS060A120S1-E1
- SI IGBT/ SIC SBD HYBRID MODULE S
-
GHXS060A120S-D3
- MOD SBD BRIDGE 1200V 60A SOT227
-
GP2M005A050HG
- MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220
-
GP2M004A065CG
- MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
-
GSXD160A015S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 150V 320A SOT227
-
GP3D050A120B
- DIODE SCHOTTKY 1.2KV 50A TO247-2
-
GP1M013A050FH
- MOSFET N-CH 500V 13A TO220F
-
GHXS030A060S-D3
- DIODE SBD SHOTT 600V 30A SOT227
-
GSXD050A006S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 60V 50A SOT227
-
GSXD120A006S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 60V 240A SOT227
-
GP3D050A060B
- DIODE SCHOTTKY 600V 50A TO247-2
-
GP1M004A090FH
- MOSFET N-CH 900V 4A TO220F
-
GP2M008A060CG
- MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
-
GSXD100A010S1-D3
- DIODE SCHOTTKY 100V 100A SOT227
-
GP2D006A060C
- DIODE SCHOTTKY 600V 6A TO252-2
-
GP1M006A070F
- MOSFET N-CH 700V 5A TO220F
-
GSXF120A120S1-D3
- DIODE FAST REC 1200V 120A SOT227
-
GP1M009A020HG
- MOSFET N-CH 200V 9A TO220
-
GHIS040A060S-A1
- IGBT BOOST CHOP 600V 80A SOT227